近日，晶盛机电成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国内碳化硅行业技术升级。该设备可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，是晶盛机电在第三代半导体设备领域的又一次重要技术突破。

8英寸单片式碳化硅外延生长设备团队合影

此前，晶盛机电已成功开发了6英寸碳化硅外延设备，技术性能和市占率均居国内前列，取得了重要市场地位。此次8英寸单片式碳化硅外延生长设备的成功研发，标志着晶盛机电在碳化硅行业的技术研发能力迈上了新台阶，为国内碳化硅行业技术、产能升级提供了充分的设备保障。

碳化硅作为第三代半导体材料，具有耐高温、高电压、高频率、高功率等优良性能，被广泛应用于电力、通信、光电、新能源等领域。相比于6英寸，8英寸碳化硅晶圆的边缘损耗更小、可利用面积更大，未来通过产量和规模效益的提升，成本有望降低60%以上。晶盛机电的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可为行业提供更为先进的技术支持，推动碳化硅行业的快速发展。

据悉，8英寸单片式碳化硅外延设备可兼容6、8寸碳化硅外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。目前，在子公司晶瑞的8英寸衬底基础上，已实现8英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，已达到行业领先水平。

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